SK하이닉스와 삼성전자가 동시에 차세대 8기가비트 LPDDR4 모바일 D램 개발에 성공했다.

SK하이닉스(대표 박성욱 www.skhynix.com)와 삼성전자(대표 권오현)는 20나노급 기술을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4) 제품을 개발했다고 밝혔다. 
 

이번에 SK하이닉스가 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 현재 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고 동작전압은 낮춘 것이 특징이다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄다. 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다.
 
SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 “차세대 모바일 표준인 LPDDR4 제품을 세계 최초로 개발하고 고객에 샘플을 제공해 기술 리더십을 공고히 했다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 설명했다.

삼성전자의 '8기가비트 LPDDR4 모바일 D램'은 삼성전자가 독자 개발하고 제덱(JEDEC)이 표준으로 확정한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO 인터페이스 기술을 적용해 기존 LPDDR3 보다 2배 빠른 데이터 처리속도인 3200Mb/s를 모바일 D램에 구현했다. 1.1볼트(V) 저전력 아키텍쳐를 적용해 소비전력도 40% 낮췄다는 설명이다.
 
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “차세대 LPDDR4 모바일 D램은 내년 D램 시장에서 가장 큰 비중을 차지하게 될 모바일 D램의 지속 성장에 크게 기여할 것으로 기대된다”며, "향후에도 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한 발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 모바일 기기를 적기에 출시하고 소비자에게 더욱 편리함을 제공하는 데 기여할 것이다"라고 말했다.
 
한편, 삼성전자는 내년 상반기 4GB 램(RAM)을 양산할 계획이다. SK하이닉스는 내년말부터 플래그십 모바일 기기에 채용되기 시작해 2015년부터는 시장이 본격화되고, 2016년에는 주력 제품이 될 것으로 예상하고 있다.